Logo

MJC ELEKTROTECHNIK GMBH HANDEL MIT ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN

Am Gielbrunnen 17, Eisenberg 67304
Γερμανία
Παράδοση
Παράδοση: Ευρώπη
Ιδρύθηκε
Ιδρύθηκε: 1997
Υπάλληλοι
Υπάλληλοι: 20-49
Τύπος προμηθευτή
Info
Διανομή
Πώς θα αξιολογούσατε τις πληροφορίες της εταιρείας και του προϊόντος;

Αίτημα υποβολή προσφορών

Δημιουργήστε μία αίτηση και λάβετε πολλαπλές προσφορές από επαληθευμένους προμηθευτές.
  • Μόνο σχετικοί προμηθευτές
  • Σε συμμόρφωση με το απόρρητο των δεδομένων
Λήψη πολλαπλών προσφορών
Εύκολο και 100% δωρεάν
Σχετικά με εμάς

20 Προϊόντα και υπηρεσίες

Search
Δίοδος FRED DSEI 2x101-06A
Δίοδος FRED DSEI 2x101-06A
Διπλή δίοδος FRED, παράλληλη, σε θήκη SOT-227, Ifav=2x96A@70°C, Vrrm=600V, trr=35ns, Κατασκευαστής IXYS/Littelfuse Χρόνος παράδοσης: διαθέσιμο από απ...
IGBT μονάδα GD400 SGU120C2S
IGBT μονάδα GD400 SGU120C2S
IGBT Module, Μοναδικός Διακόπτης, NPT Ultrafast Τεχνολογία, Ic=400A@80°C, Vces=1200V, Θήκη 62mm, Κατασκευαστής Starpower Χρόνος Παράδοσης: Σε Απόθεμα...
IGBT Μονάδα GD100 HFU120C1S
IGBT Μονάδα GD100 HFU120C1S
IGBT Module GD100HFY120C1S, Ρύθμιση Φάσης, Τεχνολογία NPT Ultrafast, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, Θήκη 34mm, Κατασκευαστής Starpower Χρόνος Παράδοσης: ...
Μονάδα Θυρίστορ MCC 56-16io1B
Μονάδα Θυρίστορ MCC 56-16io1B
Διπλό θρυιστορικό μοντέλο σε θήκη TO-240, διαμόρφωση Phaseleg, ITAV=60A@85°C, Vrrm/Vdrm=1600V, κατασκευαστής IXYS/Littelfuse, μπορεί να αντικαταστήσει...
SiC-MOSFET IXFN 50N120SK
SiC-MOSFET IXFN 50N120SK
MOSFET από καρβίδιο πυριτίου σε θήκη SOT-227, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Κατασκευαστής IXYS/Littelfuse Χρόνος παράδοσης: διαθέσιμο από απόθεμα Ελάχιστ...
SiC-MOSFET μονάδα MD300 HFR120B3S
SiC-MOSFET μονάδα MD300 HFR120B3S
Μονάδα SiC-MOSFET, διαμόρφωση φάσης, Ic=300A@80°C, Vces=1200V, επίπεδη (χαμηλής επαγωγής) θήκη 62mm, κατασκευαστής Starpower Χρόνος παράδοσης: από απ...
SiC-MOSFET IXFN 70N120SK
SiC-MOSFET IXFN 70N120SK
MOSFET από καρβίδιο πυριτίου σε θήκη SOT-227, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Κατασκευαστής IXYS/Littelfuse Χρόνος παράδοσης: διαθέσιμο από απόθεμα Ελάχιστ...
IGBT-Modul GD200 HFY120C2S
IGBT-Modul GD200 HFY120C2S
IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=200A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower Λίστα παράδοσης: από απόθεμα Ελ...
Υψηλής Τάσης Διορθωτής UGE 0421 AY4
Υψηλής Τάσης Διορθωτής UGE 0421 AY4
Υψηλής τάσης διορθωτής Idav=23A, Vrrm=3200V, Κατασκευαστής IXYS/Littelfuse Χρόνος παράδοσης: διαθέσιμο από απόθεμα Ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας: 6 τ...
IGBT Μονάδα GD75 HFY120C1S
IGBT Μονάδα GD75 HFY120C1S
IGBT Module, Ρύθμιση Φάσης, Τεχνολογία Χανδάκου, Ic=75A@100°C, Vces=1200V, Θήκη 34mm, Κατασκευαστής Starpower Χρόνος Παράδοσης: Σε Απόθεμα Ελάχιστη Π...
Μονάδα Δίοδος MDD 95-16N1B
Μονάδα Δίοδος MDD 95-16N1B
Διπλό διόδιο σε θήκη TO-240, διαμόρφωση Phaseleg, ITAV=120A@100°C, Vrrm/Vdrm=1600V, κατασκευαστής IXYS/Littelfuse, μπορεί να αντικαταστήσει απεριόριστ...
IGBT μονάδα GD150 HFU120C2S
IGBT μονάδα GD150 HFU120C2S
IGBT Module GD100HFY120C1S, Διαμόρφωση Φάσης, Τεχνολογία NPT Ultrafast, Ic=150A@80°C, Vces=1200V, Συσκευασία 62mm, Κατασκευαστής Starpower...
IGBT μονάδα GD450 HFY120C2S
IGBT μονάδα GD450 HFY120C2S
IGBT Module, Ρύθμιση Φάσης, Τεχνολογία Χαντακιού, Ic=450A@100°C, Vces=1200V, Θήκη 62mm, Κατασκευαστής Starpower Χρόνος Παράδοσης: Σε Απόθεμα Ελάχιστη...
Δίοδος FRED DSEI 2x101-12A
Δίοδος FRED DSEI 2x101-12A
Διπλή δίοδος FRED, παράλληλη, σε θήκη SOT-227, Ifav=2x91A@50°C, Vrrm=1200V, trr=40ns, Κατασκευαστής IXYS/Littelfuse Χρόνος παράδοσης: διαθέσιμο από α...
Θυριστορικό μοντέλο MCC 95-16io1B
Θυριστορικό μοντέλο MCC 95-16io1B
Διπλό θρυιστορικό μοντέλο σε θήκη TO-240, διαμόρφωση Phaseleg, ITAV=116A@85°C, Vrrm/Vdrm=1600V, κατασκευαστής IXYS/Littelfuse, μπορεί να αντικαταστήσε...

Τοποθεσία και επικοινωνία

MJC ELEKTROTECHNIK GMBH HANDEL MIT ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN
AddressAm Gielbrunnen 17, DE-67304 Eisenberg

Η εφαρμογή europages είναι εδώ!

Χρησιμοποιήστε τη νέα αναζήτηση προμηθευτών ή δημιουργήστε τα ερωτήματά σας εύκολα με τη νέα εφαρμογή europages για αγοραστές.

Κατεβάστε από το App Store

App StoreGoogle Play